DMTH10H2M5STLWQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.22 EUR |
| 500+ | 4.9 EUR |
| 1000+ | 4.61 EUR |
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Technische Details DMTH10H2M5STLWQ-13 DIODES INC.
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: POWERDI1012-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.
Weitere Produktangebote DMTH10H2M5STLWQ-13 nach Preis ab 4.13 EUR bis 9.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMTH10H2M5STLWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.8W Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH10H2M5STLWQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: POWERDI1012-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMTH10H2M5STLWQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMTH10H2M5STLWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 1680 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 28+ | 9.22 EUR |
| 39+ | 5.99 EUR |
| 100+ | 5.22 EUR |
| 500+ | 4.9 EUR |
| 1000+ | 4.61 EUR |
| DMTH10H2M5STLWQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 9.81 EUR |
| 10+ | 6.7 EUR |
| 100+ | 4.89 EUR |
| 500+ | 4.13 EUR |
| DMTH10H2M5STLWQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 8.79 EUR |
| 10+ | 7.58 EUR |
| 25+ | 6.97 EUR |
| 100+ | 6.18 EUR |
| 250+ | 5.78 EUR |
| 500+ | 5.4 EUR |
| 1000+ | 4.93 EUR |