DMTH10H4M6SPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.83 EUR |
| 10+ | 2.35 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
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Technische Details DMTH10H4M6SPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMTH10H4M6SPS-13 nach Preis ab 1.35 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMTH10H4M6SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
auf Bestellung 7614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH10H4M6SPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH10H4M6SPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH10H4M6SPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
100V 175 Degree C N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH10H4M6SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMTH10H4M6SPS-13 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMTH10H4M6SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V |
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