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DMTH10H4M6SPS-13

DMTH10H4M6SPS-13 Diodes Incorporated

DMTH10H4M6SPS.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V
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Technische Details DMTH10H4M6SPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H4M6SPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 50 V
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DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS-13 Hersteller : DIODES INC. 3168399.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
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DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS-13 Hersteller : DIODES INC. 3168399.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
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DMTH10H4M6SPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H4M6SPS-3195043.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS-13 Hersteller : Diodes Inc dmth10h4m6sps.pdf 100V 175 Degree C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMTH10H4M6SPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H4M6SPS.pdf DMTH10H4M6SPS-13 SMD N channel transistors
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