DMTH12H007SPS-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMTH12H007SPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DMTH12H007SPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH12H007SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0066 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH12H007SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED | DMTH12H007SPS-13 SMD N channel transistors |
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