DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
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Technische Details DMTH31M7LPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH31M7LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm.
Weitere Produktangebote DMTH31M7LPSQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH31M7LPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED | DMTH31M7LPSQ-13 SMD N channel transistors |
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