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DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13 Diodes Zetex

dmth4007spdq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMTH4007SPDQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMTH4007SPDQ-13 nach Preis ab 0.96 EUR bis 4.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 415000 Stücke:
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DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
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100+2.71 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 415399 Stücke:
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6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
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1000+1.13 EUR
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DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ.pdf MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.95 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
5000+1.32 EUR
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DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
86+2.71 EUR
128+1.68 EUR
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DMTH4007SPDQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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DMTH4007SPDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: PowerDI5060
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Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
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DMTH4007SPDQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.83 EUR
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1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
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DMTH4007SPDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.57 EUR
86+2.71 EUR
128+1.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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