
DMTH4007SPDQ-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMTH4007SPDQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.0075 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0075ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMTH4007SPDQ-13 nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 11.9A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4007SPDQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 11.9A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A |
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