DMTH4007SPS-13 Diodes Zetex
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.56 EUR |
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Technische Details DMTH4007SPS-13 Diodes Zetex
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 41.9nC, On-state resistance: 7.6mΩ, Power dissipation: 2.8W, Drain current: 13.1A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Pulsed drain current: 200A, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMTH4007SPS-13 nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH4007SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC On-state resistance: 7.6mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 13.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH4007SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC On-state resistance: 7.6mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 13.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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