DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: PowerDI5060-8, Power dissipation: 2.8W, Polarisation: unipolar, Drain current: 13.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.6mΩ, Pulsed drain current: 200A, Gate charge: 41.9nC, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMTH4007SPS-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMTH4007SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Drain current: 13.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 41.9nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 |
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DMTH4007SPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 |
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| DMTH4007SPS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PowerDI5060-8 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Drain current: 13.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Pulsed drain current: 200A Gate charge: 41.9nC |
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