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DMTH4007SPS-13

DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated

DMTH4007SPS-3214471.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
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Technische Details DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 41.9nC, On-state resistance: 7.6mΩ, Power dissipation: 2.8W, Drain current: 13.1A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Pulsed drain current: 200A, Kind of package: 13 inch reel; tape.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMTH4007SPS-13 DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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DMTH4007SPS-13 DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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DMTH4007SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4007SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 13.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: 13 inch reel; tape
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Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
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Pulsed drain current: 200A
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