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DMTH4008LFDFW-7

DMTH4008LFDFW-7 DIODES INC.


Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1677 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMTH4008LFDFW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.35W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMTH4008LFDFW-7 DMTH4008LFDFW-7 Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMTH4008LFDFW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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DMTH4008LFDFW-7 DMTH4008LFDFW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005044881_1-2542781.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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DMTH4008LFDFW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
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