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DMTH4008LFDFWQ-13

DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Zetex

dmth4008lfdfwq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
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Technische Details DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 990mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote DMTH4008LFDFWQ-13 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
auf Bestellung 9868 Stücke:
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3+1.13 EUR
10+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
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DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 DIODES INC. DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
203+1.14 EUR
294+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 DIODES INC. DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8820 Stücke:
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DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4803 Stücke:
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12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8820 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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