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DMTH4014LDVW-13

DMTH4014LDVW-13 Diodes Incorporated


DMTH4014LDVW.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.38 EUR
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Technische Details DMTH4014LDVW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.16W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 27.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH4014LDVW-13 Hersteller : Diodes Zetex DMTH4014LDVW.pdf 40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMTH4014LDVW-13 Hersteller : Diodes Inc dmth4014ldvw.pdf 40V +175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMTH4014LDVW-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH4014LDVW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMTH4014LDVW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-3104149.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
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DMTH4014LDVW-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH4014LDVW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.2A; Idm: 110A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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