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DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Zetex

dmth43m8lpsq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4237500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.80 EUR
5000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145349_1-2542402.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 4308 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+1.74 EUR
100+1.19 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4239629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.39 EUR
10+1.78 EUR
100+1.22 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth43m8lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH43M8LPSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH43M8LPSQ.pdf DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
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