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DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMTH43M8LPSQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA.

Weitere Produktangebote DMTH43M8LPSQ-13 nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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15+1.22 EUR
100+0.81 EUR
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145349_1-2542402.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 4308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.74 EUR
100+1.19 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMTH43M8LPSQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
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10+1.74 EUR
100+1.19 EUR
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1000+0.88 EUR
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DMTH43M8LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH43M8LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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