Technische Details DMTH6002LPSWQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.13W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMTH6002LPSWQ-13 nach Preis ab 1.73 EUR bis 14.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMTH6002LPSWQ-13 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH6002LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.13W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH6002LPSWQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH6002LPSWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 3.13W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
auf Bestellung 5858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH6002LPSWQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.73 EUR |
| DMTH6002LPSWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| DMTH6002LPSWQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8289 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.59 EUR |
| 10+ | 3.63 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| DMTH6002LPSWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.13W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.13W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 5858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.2 EUR |
| 29+ | 8.12 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
| 500+ | 3.77 EUR |
| 1000+ | 3.11 EUR |