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DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13 Diodes Zetex

26dmth6004sk3.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMTH6004SK3-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6004SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6004SK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6004SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6+3.03 EUR
10+1.93 EUR
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : Diodes Inc 26dmth6004sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 26dmth6004sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Hersteller : Diodes Zetex 26dmth6004sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMTH6004SK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH6004SK3.pdf DMTH6004SK3-13 SMD N channel transistors
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