DMTH6004SK3Q-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMTH6004SK3Q-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMTH6004SK3Q-13 nach Preis ab 0.88 EUR bis 2.34 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 1265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DMTH6004SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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