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DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex

dmth6009lps.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 320000 Stücke:
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Technische Details DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 320000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
7500+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1562 Stücke:
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243+0.71 EUR
245+0.7 EUR
302+0.56 EUR
305+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.84 EUR
243+0.69 EUR
245+0.67 EUR
302+0.51 EUR
305+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 4736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+0.76 EUR
100+0.55 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2299 Stücke:
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110+2.28 EUR
168+1.38 EUR
244+0.88 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 320177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
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100+2.52 EUR
151+1.54 EUR
220+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS.pdf
DMTH6009LPS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 320000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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5000+0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH6009LPS-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 1562 Stücke:
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245+0.7 EUR
302+0.56 EUR
305+0.54 EUR
500+0.5 EUR
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243+0.69 EUR
245+0.67 EUR
302+0.51 EUR
305+0.49 EUR
500+0.44 EUR
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.76 EUR
100+0.55 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMTH6009LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2299 Stücke:
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168+1.38 EUR
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500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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DMTH6009LPS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 320177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.37 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
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DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.52 EUR
151+1.54 EUR
220+0.98 EUR
500+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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