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DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex

dmth6009lps.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
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5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
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