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DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated

DMTH6010LPD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMTH6010LPD-13 nach Preis ab 1 EUR bis 6.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
137+1.56 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.25 EUR
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DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
59+3.95 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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DMTH6010LPD-13 Diodes Zetex DMTH6010LPD.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
109+1.54 EUR
110+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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DMTH6010LPD-13 DIOD-S-A0002833190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6010LPD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD.pdf
DMTH6010LPD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
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100+1.89 EUR
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1000+1.37 EUR
2500+1.25 EUR
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DMTH6010LPD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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AnzahlPrivatkunde
38+6.59 EUR
59+3.95 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
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94+1.87 EUR
109+1.54 EUR
110+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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