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DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMTH6010LPSQ-3214457.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
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Technische Details DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH6010LPSQ-13 DMTH6010LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH6010LPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH6010LPSQ-13 DMTH6010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH6010LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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DMTH6010LPSQ-13 DMTH6010LPSQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmth6010lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R
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