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DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated

Name: DMTH6010LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 138296-4
Price: 4.64 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

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Technische Details DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
DMTH6010LPSQ-13	Hersteller : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMTH6010LPSQ-13	Hersteller : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506	auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMTH6010LPSQ-13	Hersteller : Diodes Incorporated	Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506	auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMTH6010LPSQ-13	Hersteller : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0064 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMTH6010LPSQ-13	Hersteller : Diodes Inc	Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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