DMTH6010SCT Diodes Zetex
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| Anzahl | Preis |
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| 250+ | 0.85 EUR |
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Technische Details DMTH6010SCT Diodes Zetex
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 160A; 125W; TO220-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.2mΩ, Drain current: 100A, Drain-source voltage: 60V, Case: TO220-3, Gate charge: 36.3nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMTH6010SCT nach Preis ab 1.03 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMTH6010SCT | Hersteller : Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH6010SCT | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH6010SCT | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH6010SCT | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 160A; 125W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.2mΩ Drain current: 100A Drain-source voltage: 60V Case: TO220-3 Gate charge: 36.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH6010SCT | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 160A; 125W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.2mΩ Drain current: 100A Drain-source voltage: 60V Case: TO220-3 Gate charge: 36.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W |
Produkt ist nicht verfügbar |