DMTH61M8LPS-13 Diodes Incorporated
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 250+ | 2.45 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 2500+ | 1.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMTH61M8LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMTH61M8LPS-13 nach Preis ab 1.75 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH61M8LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
DMTH61M8LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
DMTH61M8LPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 1200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| DMTH61M8LPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 225A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
DMTH61M8LPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |