DMTH61M8SPS-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 125+ | 1.87 EUR |
| 129+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.59 EUR |
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Technische Details DMTH61M8SPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 215A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote DMTH61M8SPS-13 nach Preis ab 1.23 EUR bis 5.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMTH61M8SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 1011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH61M8SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.7 EUR |
| 67+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |