DMTH61M8SPSQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DMTH61M8SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 215A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote DMTH61M8SPSQ-13 nach Preis ab 2 EUR bis 7.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMTH61M8SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH61M8SPSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH61M8SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 6995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH61M8SPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 0.0011 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |
| DMTH61M8SPSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.21 EUR |
| 10+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2 EUR |
| DMTH61M8SPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH61M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 6995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.2 EUR |
| 51+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.3 EUR |