DMTH8001STLW-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 0.0011 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 2507 Stücke:
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Technische Details DMTH8001STLW-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 0.0011 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm.
Weitere Produktangebote DMTH8001STLW-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMTH8001STLW-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 0.0011 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
auf Bestellung 2507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH8001STLW-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1080A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.08kA Power dissipation: 6W Case: PowerDI1012-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH8001STLW-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1080A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.08kA Power dissipation: 6W Case: PowerDI1012-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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