DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V
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Technische Details DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 1012, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote DMTH8001STLW-13 nach Preis ab 4.22 EUR bis 14.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMTH8001STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 2203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMTH8001STLW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 1012 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 2203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DMTH8001STLW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K |
auf Bestellung 1446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMTH8001STLW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 1012
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH8001STLW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMTH8001STLW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 14.43 EUR |
| 10+ | 11.26 EUR |
| 100+ | 8.87 EUR |
| 500+ | 8.57 EUR |
| 1000+ | 8.2 EUR |
| 1500+ | 4.22 EUR |