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DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details DMTH8003SPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.9W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Weitere Produktangebote DMTH8003SPS-13 nach Preis ab 2.45 EUR bis 7.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 Diodes Incorporated DMTH8003SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V
auf Bestellung 3554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.58 EUR
25+3.06 EUR
50+2.73 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
48+4.88 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS.pdf
DMTH8003SPS-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V
auf Bestellung 3554 Stücke:
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4+5.55 EUR
10+3.58 EUR
25+3.06 EUR
50+2.73 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.9W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.7 EUR
48+4.88 EUR
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