DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote DMTH8008LFGQ-13 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K |
auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
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DMTH8008LFGQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMTH8008LFGQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMTH8008LFGQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 1.85 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.86 EUR |
| DMTH8008LFGQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
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Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| DMTH8008LFGQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 4431 Stücke:
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| DMTH8008LFGQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)