DMTH8008SPSQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMTH8008SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 0.0065 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.
Weitere Produktangebote DMTH8008SPSQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMTH8008SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 0.0065 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMTH8008SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 0.0065 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH8008SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
80V 175 Degree C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Power Di5060-8 Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH8008SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; Idm: 360A; 3.4W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 3.4W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Drain current: 65A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11mΩ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMTH8008SPSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMTH8008SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; Idm: 360A; 3.4W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 3.4W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Drain current: 65A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 11mΩ Gate-source voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |