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DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13 Diodes Zetex

dmth8012lpsw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
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Technische Details DMTH8012LPSW-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
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DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V
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DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
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DMTH8012LPSW-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH8012LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Hersteller : Diodes Zetex dmth8012lpsw.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
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