DN1509N8-G

DN1509N8-G Microchip Technology


20005403B.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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Technische Details DN1509N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : Microchip Technology 20005403B-768339.pdf MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 90V 6
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : Microchip Technology 20005403B.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : Microchip Technology / Atmel 20005403B-768339.pdf MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 90V 6
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100+ 1.91 EUR
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY dn1509.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : Microchip Technology 3011cn570579.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : Microchip Technology 3011cn570579.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : Microchip Technology 3011cn570579.pdf Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN1509N8-G DN1509N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY dn1509.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
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