
DN2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Case: TO92
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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132+ | 0.54 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
142+ | 0.5 EUR |
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Technische Details DN2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DN2535N3-G nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.53 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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DN2535N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Case: TO92 Kind of channel: depletion Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.5A Drain current: 0.12A Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN2535N3-G Produktcode: 189197
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