DN3545N8-G


DN3545-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005438A.pdf
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology 211dn3545.pdf Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.32 EUR
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DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology 211dn3545.pdf Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology DN3545-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005438A.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology 211dn3545.pdf Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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auf Bestellung 37500 Stücke:
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500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
1500+1.45 EUR
2000+1.42 EUR
4000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology 211dn3545.pdf Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3900 Stücke:
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106+1.67 EUR
108+1.58 EUR
109+1.5 EUR
111+1.42 EUR
250+1.34 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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108+1.62 EUR
109+1.56 EUR
111+1.5 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.33 EUR
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DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology DN3545-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005438A.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
25+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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DN3545N8-G DN3545N8-G Microchip Technology DN3545_N_Channel_Depletion_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005438A.pdf MOSFETs 450V 20Ohm
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2+1.78 EUR
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DN3545N8-G DN3545N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0004818376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
130+1.8 EUR
132+1.63 EUR
2000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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DN3545N8-G DN3545N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0004818376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+1.32 EUR
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DN3545N8-G DN3545-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005438A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1000+1.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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108+1.58 EUR
109+1.5 EUR
111+1.42 EUR
250+1.34 EUR
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1000+1.19 EUR
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3900 Stücke:
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106+1.67 EUR
108+1.62 EUR
109+1.56 EUR
111+1.5 EUR
250+1.45 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.33 EUR
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
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Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 5080 Stücke:
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25+1.48 EUR
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MOSFETs 450V 20Ohm
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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106+2.36 EUR
130+1.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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