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DN3765K4-G

DN3765K4-G Microchip Technology

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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
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Technische Details DN3765K4-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DN3765K4-G DN3765K4-G Microchip Technology DN3765%20A070113.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
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