DNLS350E-13

DNLS350E-13 Diodes Incorporated


ds31231.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
7500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DNLS350E-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote DNLS350E-13 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31231.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
auf Bestellung 31351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.50 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.22 EUR
2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31231.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 39463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.99 EUR
30+0.60 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Hersteller : Diodes Inc 5602996011663011ds31231.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DNLS350E-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31231.pdf DNLS350E-13 NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH