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DNLS350E-13

DNLS350E-13 Diodes Incorporated

ds31231.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Technische Details DNLS350E-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote DNLS350E-13 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Diodes Incorporated ds31231.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
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4+1.05 EUR
10+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.18 EUR
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DNLS350E-13 Diodes Zetex ds31231.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
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Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
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