Produkte > DIODES INCORPORATED > DP0150BLP4-7
DP0150BLP4-7

DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated

DP0150BLP4.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
auf Bestellung 2250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
75000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW.

Weitere Produktangebote DP0150BLP4-7 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DP0150BLP4-7 DP0150BLP4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DP0150BLP4.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT
auf Bestellung 5395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.69 EUR
10+0.56 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP0150BLP4-7 DP0150BLP4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DP0150BLP4.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
auf Bestellung 2254830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
27+0.66 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP0150BLP4-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31493.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 2253000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP0150BLP4-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31493.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DP0150BLP4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DP0150BLP4.pdf DP0150BLP4-7 PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH