
DPG60C200QB IXYS

Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO3P; 160W
Case: TO3P
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.34V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 360A
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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14+ | 5.15 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
25+ | 2.92 EUR |
120+ | 2.82 EUR |
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Technische Details DPG60C200QB IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG60C200QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Epitaxial-Diode (FRED), 200 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-3P, Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.06V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DPG60, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DPG60C200QB nach Preis ab 2.92 EUR bis 10.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DPG60C200QB | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO3P; 160W Case: TO3P Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.34V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 360A Power dissipation: 160W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen Mounting: THT |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DPG60C200QB | Hersteller : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DPG60C200QB | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DPG60C200QB | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-3P Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.06V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DPG60 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DPG60C200QB | Hersteller : Littelfuse |
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