DS1225AD-150IND+

DS1225AD-150IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated


DS1225AB-DS1225AD.pdf
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details DS1225AD-150IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 64Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 150ns, Zugriffszeit für Lesen: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DS1225AD-150IND+ DS1225AD-150IND+ Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated DS1225AB-DS1225AD.pdf NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
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DS1225AD-150IND+ DS1225AD-150IND+ Hersteller : ANALOG DEVICES DS1225AB-DS1225AD.pdf Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 150ns
Zugriffszeit für Lesen: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 362 Stücke:
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DS1225AD-150IND+ DS1225AD-150IND+ Hersteller : Analog Devices, Inc. ds1225ab-ds1225ad.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP
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DS1225AD-150IND+ Hersteller : Maxim DS1225AB-DS1225AD.pdf 64K Nonvolatile SRAM DS1225
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DS1225AD-150IND Hersteller : Maxim Integrated DS1225AB-DS1225AD.pdf DIP28 Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт
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DS1225AD-150IND DS1225AD-150IND Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1225AB-DS1225AD.pdf Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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DS1225AD-150IND+ DS1225AD-150IND+ Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) DS1225AD-150+.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28; parallel
Memory organisation: 8kx8bit
Access time: 70ns
Kind of interface: parallel
Kind of memory: NV SRAM
Operating voltage: 5V
Case: DIP28
Memory: 64kb SRAM
Mounting: THT
Type of integrated circuit: SRAM memory
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