DS1225AD-150IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 46.36 EUR |
| 12+ | 43.08 EUR |
| 24+ | 41.41 EUR |
| 60+ | 40.66 EUR |
| 108+ | 39.79 EUR |
| 252+ | 39.41 EUR |
| 504+ | 37.52 EUR |
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Technische Details DS1225AD-150IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 64Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 150ns, Zugriffszeit für Lesen: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DS1225AD-150IND+ nach Preis ab 42.68 EUR bis 50.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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DS1225AD-150IND+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1225AD-150IND+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 64Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 150ns Zugriffszeit für Lesen: 150ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| DS1225AD-150IND+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AD-150IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AD-150IND+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28; parallel Memory organisation: 8kx8bit Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: THT Access time: 70ns Operating voltage: 5V Memory: 64kb SRAM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DS1225AD-150IND+ | Hersteller : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AD-150IND | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AD-150IND+ | Hersteller : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28; parallel Memory organisation: 8kx8bit Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: THT Access time: 70ns Operating voltage: 5V Memory: 64kb SRAM |
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