DS1230AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 54.98 EUR |
| 12+ | 50.51 EUR |
| 24+ | 48.54 EUR |
| 60+ | 47.64 EUR |
| 108+ | 46.62 EUR |
| 252+ | 45.18 EUR |
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Technische Details DS1230AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote DS1230AB-100+ nach Preis ab 52.34 EUR bis 62.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DS1230AB-100+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 3523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230AB-100+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1230AB-100 | Hersteller : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1230AB-100+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1230AB-100+ | Hersteller : Maxim |
EMOD 28/C°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-100 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |