DS1230AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 74.9 EUR |
| 12+ | 68.77 EUR |
| 36+ | 66.1 EUR |
| 60+ | 64.88 EUR |
| 108+ | 63.49 EUR |
| 252+ | 62.28 EUR |
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Technische Details DS1230AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 256Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Weitere Produktangebote DS1230AB-100+ nach Preis ab 63.17 EUR bis 75.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DS1230AB-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230AB-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DS1230AB-100 | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1230AB-100+ |
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 75.95 EUR |
| 12+ | 69.75 EUR |
| 24+ | 67.02 EUR |
| 60+ | 65.78 EUR |
| 108+ | 64.36 EUR |
| 252+ | 63.17 EUR |
| DS1230AB-100+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1230AB-100 |
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Hersteller: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)