Technische Details DS1250AB-100+ Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote DS1250AB-100+
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1250AB-100 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| DS1250AB-100+ | Maxim Integrated |
NVRAM 4096K NV SRAM |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1250AB-100 |
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Hersteller: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| DS1250AB-100+ |
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Hersteller: Maxim Integrated
NVRAM 4096K NV SRAM
NVRAM 4096K NV SRAM
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)

