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DS1250AB-100

DS1250AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1250AB-DS1250Y.pdf
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details DS1250AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DS1250AB-100+ DS1250AB-100+ Maxim Integrated DS1250AB-DS1250Y.pdf Description: IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
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DS1250AB-100 DALLAS DS1250AB-DS1250Y.pdf DIP-32 08+09+
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DS1250AB-100+ Maxim Integrated DS1250AB-DS1250Y-30946.pdf NVRAM 4096K NV SRAM
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DS1250AB-100+
Hersteller: Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
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DIP-32 08+09+
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