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DTA114EET1G

DTA114EET1G ONSEMI

DTA114E-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2270+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2270 Stücke
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Technische Details DTA114EET1G ONSEMI

Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3301+0.052 EUR
6000+0.048 EUR
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DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3323+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3323 Stücke
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DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 4905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1935+0.09 EUR
2552+0.067 EUR
2950+0.057 EUR
3691+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1935 Stücke
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DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 2175 Stücke:
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1678+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1678 Stücke
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DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA114EET1G DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 4905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
950+0.18 EUR
1263+0.13 EUR
1306+0.12 EUR
1916+0.081 EUR
1935+0.077 EUR
2552+0.056 EUR
2950+0.046 EUR
3691+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 950 Stücke
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DTA114EET1G DTA114EET1G onsemi DTA114E-D.PDF description Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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DTA114EET1G DTA114EET1G onsemi DTA114E-D.PDF description Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DTA114EET1G DTA114EET1G ONSEMI 2353760.pdf description Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 33689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
1020+0.23 EUR
1673+0.13 EUR
2326+0.092 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.062 EUR
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DTA114EET1G DTA114EET1G ONSEMI 2353760.pdf description Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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642+0.39 EUR
1020+0.23 EUR
1673+0.13 EUR
2326+0.092 EUR
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DTA114EET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.048 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 4905 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1935+0.09 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 2175 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA114EET1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 33689 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114EET1G description 2353760.pdf
DTA114EET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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