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DTA114GKAT146

DTA114GKAT146 Rohm Semiconductor

SOT346trans.jpg
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
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Technische Details DTA114GKAT146 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114GKAT146 DTA114GKAT146 Rohm Semiconductor 528668422603628dta114ge.pd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTA114GKAT146 DTA114GKAT146 Rohm Semiconductor 528668422603628dta114ge.pd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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