Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > DTA114GU3HZGT106
DTA114GU3HZGT106

DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dta114gu3hzgt106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1629+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Weitere Produktangebote DTA114GU3HZGT106 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
533+0.32 EUR
858+0.2 EUR
1153+0.14 EUR
1315+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
533+0.32 EUR
858+0.19 EUR
1153+0.14 EUR
1315+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1021+0.33 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 ROHM 4117216.pdf Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
424+0.6 EUR
695+0.33 EUR
1110+0.19 EUR
1504+0.14 EUR
1737+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 ROHM 4117216.pdf Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
695+0.33 EUR
1110+0.19 EUR
1504+0.14 EUR
1737+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 dta114gu3hzgt106-e.pdf
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
533+0.32 EUR
858+0.2 EUR
1153+0.14 EUR
1315+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 dta114gu3hzgt106-e.pdf
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
533+0.32 EUR
858+0.19 EUR
1153+0.14 EUR
1315+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 dta114gu3hzgt106-e.pdf
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1021+0.33 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 4117216.pdf
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
424+0.6 EUR
695+0.33 EUR
1110+0.19 EUR
1504+0.14 EUR
1737+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 424 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 4117216.pdf
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.6 EUR
695+0.33 EUR
1110+0.19 EUR
1504+0.14 EUR
1737+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114GU3HZGT106 datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTA114GU3HZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH