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DTA114GU3HZGT106

DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor


dta114gu3hzgt106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DTA114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.

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DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor dta114gu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Hersteller : ROHM 4117216.pdf Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
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DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Hersteller : ROHM 4117216.pdf Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
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DTA114GU3HZGT106 DTA114GU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
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