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DTA114GU3T106

DTA114GU3T106 ROHM

4117226.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
457+0.55 EUR
658+0.36 EUR
1211+0.18 EUR
1629+0.13 EUR
1849+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
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Technische Details DTA114GU3T106 ROHM

Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 ROHM 4117226.pdf Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
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Wandlerpolarität: PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.55 EUR
658+0.36 EUR
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1849+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114GU3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 1850 Stücke:
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38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor dta114gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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DTA114GU3T106 DTA114GU3T106 Rohm Semiconductor dta114gu3t106-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 583 Stücke
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Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Eingangswiderstand R1: -
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT
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