DTA114WU3T106 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA114WU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
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| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 0.54 EUR |
| 11+ | 0.26 EUR |
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| 1000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details DTA114WU3T106 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - DTA114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DTA114WU3T106 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DTA114WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
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DTA114WU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
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DTA114WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA114WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA114WU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA114WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA114WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
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