DTA115EEBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details DTA115EEBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: EMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.
Weitere Produktangebote DTA115EEBTL nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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DTA115EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R |
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DTA115EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
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DTA115EEBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors TRANS DIGI BJT PNP 100MA TR |
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