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DTA115EET1G

DTA115EET1G ON Semiconductor

dta114eet1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA115EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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2850+0.051 EUR
4831+0.029 EUR
4879+0.028 EUR
4976+0.026 EUR
5051+0.025 EUR
5129+0.023 EUR
5209+0.022 EUR
5292+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
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DTA115EET1G DTA115EET1G onsemi dta115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.041 EUR
21000+0.039 EUR
30000+0.037 EUR
75000+0.033 EUR
150000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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7813+0.069 EUR
10000+0.061 EUR
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DTA115EET1G DTA115EET1G ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 5985 Stücke:
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417+0.17 EUR
695+0.1 EUR
1095+0.065 EUR
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3000+0.036 EUR
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DTA115EET1G DTA115EET1G onsemi dta115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 194750 Stücke:
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67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.064 EUR
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DTA115EET1G DTA115EET1G onsemi dta115e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
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3000+0.051 EUR
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DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI 2907495.pdf Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 11505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI 2907495.pdf Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 11505 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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5051+0.029 EUR
5129+0.028 EUR
5209+0.027 EUR
5292+0.026 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33000+0.033 EUR
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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33000+0.034 EUR
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115EET1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.052 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.041 EUR
21000+0.039 EUR
30000+0.037 EUR
75000+0.033 EUR
150000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTA115EET1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7813+0.069 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 7813 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7813+0.069 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 7813 Stücke
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DTA115EET1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 5985 Stücke:
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
695+0.1 EUR
1095+0.065 EUR
1475+0.048 EUR
1673+0.043 EUR
3000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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DTA115EET1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 194750 Stücke:
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Anzahl Preis
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109+0.16 EUR
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DTA115EET1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 6727 Stücke:
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Anzahl Preis
11+0.27 EUR
18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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DTA115EET1G 2907495.pdf
DTA115EET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 11505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DTA115EET1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 11505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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