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DTA115EET1G

DTA115EET1G ON Semiconductor

dta114eet1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTA115EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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1150+0.06 EUR
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : onsemi dta115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
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15000+0.05 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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2841+0.05 EUR
2959+0.04 EUR
3087+0.04 EUR
3226+0.04 EUR
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : onsemi DTA115E_D-1387567.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : onsemi dta115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ONSEMI 2907495.pdf Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 21405 Stücke:
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ONSEMI 2907495.pdf Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTA115EET1G DTA115EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta114eet1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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