Produkte > ONSEMI > DTA123EET1G
DTA123EET1G

DTA123EET1G onsemi


dta123e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DTA123EET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Weitere Produktangebote DTA123EET1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DTA123EET1G DTA123EET1G Hersteller : onsemi dta123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+0.33 EUR
75+0.24 EUR
137+0.13 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA123EET1G DTA123EET1G Hersteller : onsemi DTA123E_D-2310980.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 6679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.34 EUR
13+0.23 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
45000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA123EET1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000248328-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 202443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA123EET1G DTA123EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta123e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA123EET1G DTA123EET1G Hersteller : ON Semiconductor dta123e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH