DTB123YUT106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 2780 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 26+ | 1.01 EUR |
| 37+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details DTB123YUT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTB123YUT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: -500mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB123Y Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DTB123YUT106 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DTB123YUT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT PNP 500MA 3PIN |
auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DTB123YUT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTB123YUT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -500mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB123Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTB123YUT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTB123YUT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTB123Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTB123YUT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 56 Collector current: 0.5A Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DTB123YUT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DTB123YUT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 56 Collector current: 0.5A |
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