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DTB513ZETL

DTB513ZETL Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTB513ZE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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Technische Details DTB513ZETL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTB513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB513Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTB513ZETL DTB513ZETL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB513ZE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR DIGITAL PNP 12V; 500mA
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.93 EUR
435+0.54 EUR
685+0.31 EUR
910+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 269 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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435+0.54 EUR
685+0.31 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
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Supplier Device Package: EMT3
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
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Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 8613 Stücke:
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22+0.99 EUR
35+0.62 EUR
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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR DIGITAL PNP 12V; 500mA
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DTB513ZETL
Hersteller: ROHM
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Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
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DTB513ZETL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTB513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
269+0.93 EUR
435+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 269 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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