DTB543EE3TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2990 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 23+ | 0.77 EUR |
| 38+ | 0.47 EUR |
| 100+ | 0.30 EUR |
| 500+ | 0.22 EUR |
| 1000+ | 0.20 EUR |
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Technische Details DTB543EE3TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB543E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DTB543EE3TL nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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DTB543EE3TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
auf Bestellung 5769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTB543EE3TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB543E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTB543EE3TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB543E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTB543EE3TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTB543EE3TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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