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DTB543EE3TL

DTB543EE3TL ROHM

dtb543ee3tl-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
296+0.84 EUR
484+0.48 EUR
758+0.29 EUR
1015+0.21 EUR
1132+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
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Technische Details DTB543EE3TL ROHM

Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTB543E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DTB543EE3TL nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTB543EE3TL DTB543EE3TL ROHM dtb543ee3tl-e.pdf Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: DTB543E Series
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DTB543EE3TL DTB543EE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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DTB543EE3TL DTB543EE3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 5769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.64 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DTB543EE3TL DTB543EE3TL Rohm Semiconductor dtb543ee3tl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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DTB543EE3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTB543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTB543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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DTB543EE3TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
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Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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Digital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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