DTC023EEBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details DTC023EEBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC023EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC023E Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DTC023EEBTL nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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DTC023EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R |
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DTC023EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
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DTC023EEBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors |
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DTC023EEBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC023EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC023EEBTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTC023EEBTL NPN SMD transistors |
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DTC023EEBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
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