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DTC113ZU3HZGT106

DTC113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dtc113zu3hzgt106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DTC113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC113ZU3HZGT106 DTC113ZU3HZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC113ZU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323
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DTC113ZU3HZGT106 DTC113ZU3HZGT106 ROHM dtc113zu3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTC113ZU3HZGT106 DTC113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor dtc113zu3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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DTC113ZU3HZGT106 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC113ZU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 33
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
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DTC113ZU3HZGT106 datasheet?p=DTC113ZU3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC113ZU3HZGT106
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323
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DTC113ZU3HZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTC113ZU3HZGT106 dtc113zu3hzgt106-e.pdf
DTC113ZU3HZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DTC113ZU3HZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 33
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
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