DTC114EE3TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details DTC114EE3TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Weitere Produktangebote DTC114EE3TL nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) |
auf Bestellung 16308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 3551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | ROHM |
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | ROHM |
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 281 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1112 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DTC114EE3TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
auf Bestellung 2622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1588 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 619+ | 0.27 EUR |
| 984+ | 0.17 EUR |
| 1384+ | 0.12 EUR |
| 2584+ | 0.063 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 599+ | 0.29 EUR |
| 953+ | 0.18 EUR |
| 1306+ | 0.13 EUR |
| 1452+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.093 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 377+ | 0.45 EUR |
| 609+ | 0.27 EUR |
| 969+ | 0.17 EUR |
| 1329+ | 0.12 EUR |
| 1478+ | 0.1 EUR |
| 3000+ | 0.081 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 16308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.52 EUR |
| 11+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.096 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.52 EUR |
| 66+ | 0.32 EUR |
| 106+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 402+ | 0.62 EUR |
| 618+ | 0.38 EUR |
| 1048+ | 0.2 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.62 EUR |
| 618+ | 0.38 EUR |
| 1048+ | 0.2 EUR |
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DTC114EE3TL |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 150mW; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 2622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)