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DTC114EET1G

DTC114EET1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details DTC114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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21000+0.034 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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9000+0.026 EUR
27000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3059
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
718+0.1 EUR
1678+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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Anzahl Preis
12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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122+0.14 EUR
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1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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