Produkte > ON SEMICONDUCTOR > DTC114EET1G
DTC114EET1G

DTC114EET1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11112+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DTC114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DTC114EET1G nach Preis ab 0.01 EUR bis 0.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6757+0.02 EUR
10527+0.01 EUR
10639+0.01 EUR
24000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6757
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4546+0.03 EUR
6536+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4546
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
72000+0.03 EUR
108000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
18000+0.03 EUR
27000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
36000+0.03 EUR
54000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
770+0.09 EUR
910+0.08 EUR
1163+0.06 EUR
1290+0.06 EUR
1709+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2/0.3W
Current gain: 35...60
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
770+0.09 EUR
910+0.08 EUR
1163+0.06 EUR
1290+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 180985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+0.18 EUR
24+0.12 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
99000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 26361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
113+0.16 EUR
183+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G Hersteller : ONS dtc114e-d.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
auf Bestellung 6117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
10+0.10 EUR
100+0.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114EET1G DTC114EET1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH