DTC114EET1G ON Semiconductor
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Technische Details DTC114EET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.
Weitere Produktangebote DTC114EET1G nach Preis ab 0.017 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DTC114EET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC114EET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC114EET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC114EET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DTC114EET1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2/0.3W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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DTC114EET1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2/0.3W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A |
auf Bestellung 3775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC114EET1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
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DTC114EET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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DTC114EET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
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DTC114EET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
auf Bestellung 28334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC114EET1G | Hersteller : ONS |
Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30 |
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DTC114EET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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